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表面處理技術(shù)專家

全球領(lǐng)先,12m超長管道鍍膜技術(shù)

新鉑科技專注于高功率脈沖等離子體真空鍍膜技術(shù)

  • 電源

    HiPIMS電源,P3E電源, 100KHz偏壓電源

  • 設(shè)備

    高功率磁控PVD設(shè)備
    高能脈沖弧PVD設(shè)備、管道PECVD鍍膜設(shè)備

  • 工藝

    DLC、CrN、CrTiN、TiSiCN、CrAlSiCN

產(chǎn)品及解決方案

應(yīng)用案例

about us

關(guān)于新鉑

公司簡介

新鉑科技(東莞)有限公司成立于2020 年底,是新鉑科技的主要生產(chǎn)基地,具有4條組裝生產(chǎn)線和5條檢測調(diào)試線,廠房面積2000+,現(xiàn)有員工20+。是國內(nèi)專業(yè)從事真空鍍膜系統(tǒng)的研發(fā)、制造、銷售為一體的國家級高新技術(shù)企業(yè)。其研發(fā)中心位于東莞市松山湖大學(xué)創(chuàng)新城,其研發(fā)人員均為碩士以上學(xué)歷(其中博士6人),在相關(guān)領(lǐng)域發(fā)表學(xué)術(shù)論文300余篇。

  • 60%

    研發(fā)人員占比

  • 300+

    發(fā)布學(xué)術(shù)論文

  • 4.5星級

    客戶好評

  • 50+

    課題合作研發(fā)

  • 20+

    定制開發(fā)項目

公司簡介

企業(yè)榮譽

新聞中心



真空磁控濺射涂層技術(shù)與真空蒸發(fā)涂層技術(shù)的區(qū)別

重慶真空磁控濺射涂層技術(shù)與真空蒸發(fā)涂層技術(shù)的區(qū)別

真空磁控濺射涂層技術(shù)不同于真空蒸發(fā)涂層技術(shù)。濺射是指核能顆粒轟擊固體表面(目標(biāo)),使固體原子或分子從表面射出的現(xiàn)象。...


重慶管道結(jié)垢難題有解了!DLC薄膜助力石油行業(yè)發(fā)展!

在石油行業(yè),人們正在努力提高原油回收效率。例如,注入二氧化碳可以將原油的生產(chǎn)效率提高10%~15%。然而,隨著石油產(chǎn)量的增加,也面臨著更多的挑戰(zhàn),管道腐蝕是其中之一。對于二氧化碳增強采收率(EOR)技術(shù),生產(chǎn)油水混合物因高壓與二氧化碳過飽和而酸化,...

  • 真空鍍膜技術(shù)如何實現(xiàn)多層膜的沉積

    重慶真空鍍膜技術(shù)如何實現(xiàn)多層膜的沉積

    真空鍍膜技術(shù)實現(xiàn)多層膜的沉積主要通過以下幾種方式: 一、交替沉積法...

    2024-10-31 10:29:45   |   →
  • 真空鍍膜的附著力探討

    重慶真空鍍膜的附著力探討

    一般來說,真空鍍膜可以具有較好的附著力。這主要是因為在真空環(huán)境下,鍍膜材料的原子或分子能夠以較高的能量和純凈度沉積在基材表面。與傳統(tǒng)的鍍膜方法相比,真空鍍膜減少了雜質(zhì)和氧化的影響,從而有利于提高鍍膜與基材之間的結(jié)合力。...

    2024-10-19 15:32:17   |   →
  • HiPIMS電源可以沉積氧化物嗎

    重慶HiPIMS電源可以沉積氧化物嗎

    HiPIMS(高功率脈沖磁控濺射,High Power Impulse Magnetron Sputtering)是一種薄膜沉積技術(shù),它利用高頻脈沖電源產(chǎn)生的高密度等離子體來進行材料的濺射沉積。相較于傳統(tǒng)的直流磁控濺射(DCMS),HiPIMS技術(shù)具有更高的離子化率、更好的薄膜質(zhì)量以及更均勻的薄膜厚度等優(yōu)點。因此,HiPIMS技術(shù)在薄膜沉積領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,尤其是在制備高質(zhì)量、高性能薄膜材料方面表現(xiàn)突出。...

    2024-09-29 10:22:14   |   →
  • HIPiMS技術(shù)在沉積過程中如何控制薄膜的微觀結(jié)構(gòu)

    重慶HIPiMS技術(shù)在沉積過程中如何控制薄膜的微觀結(jié)構(gòu)

    HIPiMS技術(shù)的核心是使用高功率脈沖放電,這導(dǎo)致了等離子體密度和離子化率的顯著提高。通過調(diào)整脈沖峰值功率,可以改變?yōu)R射粒子的能量分布。較高的功率通常會導(dǎo)致更高的離子化率,從而影響薄膜的致密度和附著力。...

    2024-09-25 15:29:36   |   →

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