天津HiPIMS,低溫ITO沉積的機(jī)會(huì)!
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新鉑科技(東莞)有限公司成立于2020 年底,是新鉑科技的主要生產(chǎn)基地,具有4條組裝生產(chǎn)線和5條檢測(cè)調(diào)試線,廠房面積2000+,現(xiàn)有員工20+。是國(guó)內(nèi)專業(yè)從事真空鍍膜系統(tǒng)的研發(fā)、制造、銷售為一體的國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)。其研發(fā)中心位于東莞市松山湖大學(xué)創(chuàng)新城,其研發(fā)人員均為碩士以上學(xué)歷(其中博士6人),在相關(guān)領(lǐng)域發(fā)表學(xué)術(shù)論文300余篇。
研發(fā)人員占比
發(fā)布學(xué)術(shù)論文
客戶好評(píng)
課題合作研發(fā)
定制開發(fā)項(xiàng)目
磁控濺射作為一種物理 氣相沉積(PVD)技術(shù),在材料科學(xué)與工程領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。它通過結(jié)合電場(chǎng)和磁場(chǎng)的作用,提高了濺射過程中的粒子利用率和沉積效率。磁控濺射可以根據(jù)不同的分類標(biāo)準(zhǔn)分為多種類型,每種類型都有其獨(dú)特的工作原理和適用范圍。以下是一些常見的磁控濺射種類及其工作原理概述:...
在展示區(qū)展出了新鉑等離子體鍍膜工藝成品與電源設(shè)備,讓參展的嘉賓與展商皆感嘆新鉑科技在真空應(yīng)用領(lǐng)域技術(shù)實(shí)力!...
2023年6月27-29日,在深圳國(guó)際會(huì)展中心20號(hào)館舉辦了2023國(guó)際新材料展(MATERIALS.CN)...
真空磁控濺射涂層技術(shù)不同于真空蒸發(fā)涂層技術(shù)。濺射是指核能顆粒轟擊固體表面(目標(biāo)),使固體原子或分子從表面射出的現(xiàn)象。...
這是一種常用的測(cè)量方法。其原理是基于光的干涉現(xiàn)象。當(dāng)一束光照射到薄膜表面時(shí),部分光被反射,部分光透過薄膜在基底和薄膜的界面再次反射,這兩束反射光會(huì)發(fā)生干涉。通過檢測(cè)干涉條紋的變化來確定薄膜的厚度。...
蒸發(fā)源溫度是關(guān)鍵參數(shù)。對(duì)于不同的鍍膜材料,有其特定的蒸發(fā)溫度范圍。如蒸發(fā)金屬鋁,溫度一般在1200-1400℃。通過溫度傳感器和反饋控制系統(tǒng),如熱電偶結(jié)合PID控制器,能控制溫度。溫度過高可能導(dǎo)致材料過度蒸發(fā),...
在蒸發(fā)鍍膜技術(shù)中,首先將鍍膜材料加熱到足夠高的溫度,使其原子或分子獲得足夠的能量克服表面能,從固態(tài)或液態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)闅鈶B(tài)。這個(gè)過程通常在真空環(huán)境下的蒸發(fā)源中進(jìn)行。例如,對(duì)于金屬材料如鋁,通過電阻加熱、電子束加熱等方式使鋁原子從蒸發(fā)源的固體表面逸出。...
PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)的關(guān)鍵工藝參數(shù)包括以下幾個(gè)方面:...
在石油行業(yè),人們正在努力提高原油回收效率。例如,注入二氧化碳可以將原油的生產(chǎn)效率提高10%~15%。然而,隨著石油產(chǎn)量的增加,也面臨著更多的挑戰(zhàn),管道腐蝕是其中之一。對(duì)于二氧化碳增強(qiáng)采收率(EOR)技術(shù),生產(chǎn)油水混合物因高壓與二氧化碳過飽和而酸化,...
真空鍍膜技術(shù)實(shí)現(xiàn)多層膜的沉積主要通過以下幾種方式: 一、交替沉積法...
一般來說,真空鍍膜可以具有較好的附著力。這主要是因?yàn)樵谡婵窄h(huán)境下,鍍膜材料的原子或分子能夠以較高的能量和純凈度沉積在基材表面。與傳統(tǒng)的鍍膜方法相比,真空鍍膜減少了雜質(zhì)和氧化的影響,從而有利于提高鍍膜與基材之間的結(jié)合力。...
HiPIMS(高功率脈沖磁控濺射,High Power Impulse Magnetron Sputtering)是一種薄膜沉積技術(shù),它利用高頻脈沖電源產(chǎn)生的高密度等離子體來進(jìn)行材料的濺射沉積。相較于傳統(tǒng)的直流磁控濺射(DCMS),HiPIMS技術(shù)具有更高的離子化率、更好的薄膜質(zhì)量以及更均勻的薄膜厚度等優(yōu)點(diǎn)。因此,HiPIMS技術(shù)在薄膜沉積領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,尤其是在制備高質(zhì)量、高性能薄膜材料方面表現(xiàn)突出。...
HIPiMS技術(shù)的核心是使用高功率脈沖放電,這導(dǎo)致了等離子體密度和離子化率的顯著提高。通過調(diào)整脈沖峰值功率,可以改變?yōu)R射粒子的能量分布。較高的功率通常會(huì)導(dǎo)致更高的離子化率,從而影響薄膜的致密度和附著力。...